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力科公布更准确的宽禁带半导体剖析丈量体系-ag九游会

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新的1 GHz探头、12位高精度示波器和测试软件相联合,为宽带半导体剖析丈量体系提供最高丈量精度


2022年4月12日 纽约 Chestnut Ridge– 力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光断绝探头和功率器件测试软件,与高精度示波器 (HDO) 联合利用时,可提供最正确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特征表征。

高精度示波器

三十多年来,工程师们不停在利用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来消费电源和功率转换体系。但是,消耗者必要体积更小、分量更轻的电源和体系,而当局要求更高的服从。宽禁带 (WBG) 质料,比方GaN 和 SiC,开关速率比 Si 快十倍以上,而且在进步服从的同时减小了尺寸和分量。工程师接纳宽禁带半导体设计体系时,必要更大的丈量带宽,以对半导体器件举行更正确和细致的剖析。

示波器探头


力科新型DL-ISO高压光断绝探头为设计工程师提供了最牢靠的 GaN 和SiC 功率半导体剖析丈量体系。新探头共同力科业界抢先的12 位辨别率HDO示波用具有最佳的信号保真度、最低的过冲和最佳的正确度1.5%,简直是竞争敌手的两倍。

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1 GHz 带宽满意丈量 GaN 器件1 ns 上升工夫的要求。 HDO示波器还在12 位辨别率下提供高达20 GS/s 的采样率,以捕捉和表现最真实的高速 GaN 和 SiC 器件信号。这种最佳信号保真度、低过冲、高精度、高带宽和高采样率的组合关于在新设计中乐成实行 GaN 和SiC 技能至关紧张。


力科新的功率器件软件包主动实行JEDEC开关消耗和其他丈量,以颜色编码突出表现相干的丈量地区,进一步简化了 GaN 和SiC 器件的剖析。

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